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IRF9520NS/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-100
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.10
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.48
?
V GS = 10V, I D = -4.0A ?
––– R G = 22 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
-2.0
1.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
47
28
31
-4.0 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -50V, I D = -4.0A ?
-25 V DS = -100V, V GS = 0V
μA
-250 V DS = -80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
27 I D = -4.0A
5.0 nC V DS = -80V
15 V GS = -10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = -50V
––– I D = -4.0A
ns
––– R D = 12 ?, See Fig. 10 ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
350 ––– V GS = 0V
110 ––– pF V DS = -25V
70 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
-6.8
-27
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– –––
-1.6 V T J = 25°C, I S = -4.0A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 100 150 ns T J = 25°C, I F = -4.0A
___ 420 630 nC di/dt = -100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 18mH
R G = 25 ? , I AS = -4.0A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Uses IRF9520N data and test conditions
? I SD ≤ -4.0A, di/dt ≤ -300A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
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